Polikrystaliczne warstwy tlenku cynku | ||||
OpisCienkie warstwy tlenku cynku (ZnO) są wykonywane metodą osadzania warstw atomowych (ALD) na dowolnym podłożu (np.: Si, GaN, SiC, Al2O3, SiO2 itp). Materiał powstaje w procesie chemicznym w trakcie reakcji podwójnej wymiany z dwóch reagentów (prekursorów) takich jak woda dejonizowana lub roztwór wody amoniakalnej (prekursor tlenowy) oraz dietylocynk - DEZ (prekursor cynkowy). Zastosowanie roztworu wody amoniakalnej (NH3۰H2O) zamiast wody dejonizowanej jako prekursora tlenowego w procesie wzrostu powoduje zwiększenie oporności elektrycznej warstw tlenku cynku. Związek ten może być otrzymywany w zakresie temperatur od 25°C do 300°C. Maksymalna wielkość podłoża wynosi 20 cm średnicy.
Parametry
ZastosowaniaTlenek cynku jest szeroko badanym materiałym półprzewodnikowym. Ze względu na swoje szczególne właściwości fizyko-chemiczne może być stosowany w urządzeniach elektronicznych, optoelektronicznych, a także fotowoltaicznych (wyświetlacze, diody elektroluminescencyjne, ogniwa słoneczne). Duża przerwa energetyczna sprawia, że ZnO jest materiałem przezroczystym w zakresie widzialnym, dlatego z powodzeniem może być wykorzystywany w obszarze tzw.: "przezroczystej elektroniki". Jednocześnie ZnO charakteryzuje się bardzo wysoką czułością oraz trwałością termiczną, co sprawia, iż może znaleźć zastosowanie w matrycach czujników. |
|