Warstwy tlenku glinu

Opis

Cienkie warstwy tlenku glinu określanego także jako tritlenek diglinu (Al₂O₃) są wykonywane metodą osadzania warstw atomowych (ALD) na dowolnym podłożu (np.: Si, GaN, SiC, grafen, SiO₂ itp). Materiał powstaje w procesie chemicznym w trakcie reakcji podwójnej wymiany z dwóch reagentów (prekursorów) takich jak woda dejonizowana (prekursor tlenowy) oraz trimetylaluminum - TMA (prekursor glinowy). Związek może być otrzymywany w zakresie temperatur od 25°C do 300°C. Maksymalna wielkość podłoża wynosi 20 cm średnicy.

Parametry

• Grubość: 10 - 3000 nm
• Tempo wzrostu: 0.2 nm/min
• Oporność: > 10¹⁰ Ωcm
• Przerwa energetyczna: 6.3 eV
• Współczynnik załamania: 1.6 (635 nm)
• Względna przenikalność elektryczna: 10±3
• Chropowatość powierzchni: 0.2 nm < RMS < 5 nm
• Struktura: warstwy amorficzne
• Średnia transmisja w zakresie widzialnym: >80%
• Jednorodność pokrycia

Zastosowania

Al₂O₃ ze względu na swoje właściwości optyczne, elektryczne i strukturalne może być z powodzeniem stosowany jako izolator w urządzaniach elektronicznych, w szczególności w obszarze tzw. "przezroczystej elektroniki", jako powłoki optyczne o wysokim współczynniku załamania w laserach i mikroskopach, a także jako warstwy barierowe czy zabezpieczające w strukturach fotowoltaicznych. Ponadto materiał ten może znależć zastosowanie w medycynie i stomatologii w procesie produkcji protez oraz implantów.