Amorficzne warstwy izolujące | |||
OpisWarstwy izolujące wykonywane metodą osadzania warstw atomowych (ALD) na dowolnym podłożu (np.: Si, GaN, SiC, grafen, ZnO itp). Materiały powstają w procesie chemicznym w trakcie reakcji podwójnej wymiany z dwóch reagentów (prekursorów) takich jak prekursor tlenowy oraz prekursor metalu. Warstwy izolujące mogą składać się z jednego lub kilku materiałów tlenkowych. Związki są otrzymywane w niskiej temperaturze, najczęściej poniżej 100oC. Maksymalna wielkość podłoża wynosi 20 cm średnicy.
Parametry
ZastosowaniaOsadzanie warstw dielektrycznych w temperaturze poniżej 100˚C umożliwia konstruowanie prawidłowo działających elementów elektronicznych zawierających izolatory w interakcji z różnymi materiałami półprzewodnikowymi takimi jak: Si, GaAs, ZnO, SiC, GaN, GaMnAs czy grafen. Przeprowadzone badania pokazały, iż najbardziej wydajnymi izolatorami są warstwy kompozytowe. Połączenie niskiej temperatury wytwarzania i przezroczystość warstw tlenkowych sprawia, iż elementy elektroniczne wykorzystujące te materiały, wykonane techniką ALD, stanowią solidną, realną, bezpieczną dla środowiska (brak działania szkodliwych związków) i bardzo obiecującą propozycję dla następnej generacji przezroczystej i elastycznej elektroniki.
Patent: PL395639 (13-07- 2011) |
|