Struktury diodowe p-n pod selektywny detektor UV

Opis

Opracowano detektor UV, pracujący na bazie heterostruktury diodowej p-n, gdzie jako warstwę typu n zastosowano azotek galu GaN, a jako warstwę typu p tlenek cynku ZnO. Oba materiały są przeźroczyste dla światła widzialnego. W detektorze zastosowano komercyjne podłoża GaN/Al₂O₃ oraz warstwy ZnO wykonane metodą epitaksji z wiązek molekularnych MBE, domieszkowane pierwiastkami grupy V (arsenem, azotem, antymonem). Uzyskana struktura jest wysoce selektywna na detekcję promieniowania UV, detekcja możliwa jest w obszarze 350-375 nm. Możliwa jest detekcja bez przyłożonego zewnętrznego napięcia. Różnica pomiędzy prądem ciemnym a prądem jasnym wynosi 3-4 rzędy wielkości.

Parametry

• Max detekcji 362 nm FWHM 12 nm

• I_uv/I_dark ~10³-10⁴

• Napięcie otwarcia 1.5-3 V

• Napięcie przebicia większe niż 20V

• Czas reakcji ≪ 1m

Zastosowania

Detektory UV znajdują zastosowanie w systemach ochrony środowiska, na przykład w wykrywaniu na akwenach wodnych obecności związków oleju. Systemy takie są także często wykorzystywane do monitorowania nieszczelności instalacji tankowania samolotów na lotniskowcach. Detektory mogą posłużyć do budowy linijek i matryc selektywnie detekujacych różne długości promieniowania.

Zgłoszenie patentowe: P.403520, P.399789