Warstwy ZnO:Al dla fotowoltaiki drugiej generacji

Opis

W ostatnich latach obserwuje się silną konkurencję ogniw fotowoltaicznych II-generacji z tradycyjnymi krzemowymi komórkami PV. II-generacja ogniw fotowoltaicznych bazuje na cienkich warstwach siarczku kadmu (CdS) jako n‑typu partner dla p-typu tellurku kadmu. Jednym z największych problemów takich ogniw PV jest stabilność omowego kontaktu do warstwy p-typu CdTe. Rozwiązaniem tego problemu może być użycie p-typu ZnTe jako partnera dla warstw n-typu CdTe. Opracowaliśmy  warstwę tlenku cynku domieszkowanego glinem jako stabilny w czasie omowy kontakt do warstw p‑typu ZnTe. warstwa TCO osadzana jest w procesie ALD.

Parametry

• Temperatury wzrostu: 160^oC
•  Maksymalna wielkość podłoża: 20 cm średnicy
• Grubość warstwy ZnO:Al: 300 nm
• Elektryczne parametry warstwy ZnO:Al:

                   n=3.6x10²⁰ cm^-3

                   ρ=1.2x10^-3 Ωcm

• Jednorodne pokrycie podłóż o bardzo rozbudowanej (trójwymiarowej) powierzchni
• Kontrolowany wzrost w skali nanometrowej