Spektroskopia głębokich poziomów defektowych (DLTS)

Opis

Spektroskopia głębokich poziomów defektowych (DLTS) polega na badaniu zjawiska relaksacji pojemności diody półprzewodnikowej w następstwie jej pobudzenia impulsem napięciowym. Pomiar kinetyki pojemności złącza jest prowadzony w trakcie monotonicznej zmiany temperatury. W jego wyniku otrzymuje się widmo DLTS, jako serię pików związanych z poszczególnymi  poziomami pułapkowymi. Cyfrowy wariant metody – Laplace DLTS, pozwala dzięki wykorzystaniu odwrotnej transformaty Laplace’a badanego sygnału odseparować i analizować wkłady od defektów o podobnej energii aktywacji i pochodzeniu, co w klasycznej technice DLTS nie jest możliwe.

Parametry

• Optyczny kriostat azotowy lub helowy wraz z chłodziarką helową;
• Kontroler temperatury LakeShore332 ;
• Cyfrowy miernik pojemności Boonton7200 z częstością próbkującą f = 1MHz.
• Rozmiar próbki (max.) 2mm*2mm

Zastosowania

Za pomocą techniki DLTS oraz jej wariantów możliwe jest określenie energii aktywacji centrum defektowego, koncentracji pułapek oraz wyznaczenie przekroju czynnego na wychwyt nośników. Z uwagi na prostotę znalazła ona zatem szerokie zastosowanie jako metoda badania defektów w półprzewodnikach. Opis struktury defektowej półprzewodników pozwala zaś projektować na ich bazie zaawansowane układy o pożądanych parametrach elektrycznych oraz optycznych.