Opis

Tlenkowe warstwy kompozytowe wykonywane są metodą osadzania warstw atomowych (ALD) na dowolnym podłożu (np.: Si, GaN, SiC, grafen, SiO₂, tworzywa naturalne i sztuczne,  a zwłaszcza na powierzchni włókien itp). Materiały powstają w procesie chemicznym w trakcie reakcji podwójnej wymiany z dwóch reagentów (prekursorów) takich jak prekursor tlenowy oraz prekursor metalu. Warstwy kompozytowe mogą składać się z przekładek z materiałów tlenkowych o grubości nanometrowej. Tlenki mogą być otrzymywane w zakresie temperatur od 25°C do 300°C w zależności od zastosowanych prekursorów. Maksymalna wielkość podłoża wynosi 20 cm średnicy.

Parametry

• Materiały: ZnO, Al₂O₃, TiO₂, HfO₂, ZrO₂
• Grubość: 10 - 3000 nm
• Kontrolowany wzrost w skali nanometrowej
• Tempo wzrostu: 0.1 - 0.4 nm/min
• Właściwości hydrofobowe
• Właściwości bakteriobójcze
• Oporność: >10⁸Ωcm (dielektryki), >0.001Ωcm (ZnO)
• Chropowatość powierzchni: 0.2 nm < RMS < 30 nm
• Przerwa energetyczna: > 3 eV
• Wysoki współczynnik załamania (635 nm): > 1.6
• Względna przenikalność elektryczna (dielektryki): > 9
• Średnia transmisja w zakresie widzialnym: >80%
• Jednorodność pokrycia
• Jednorodne pokrycie podłóż o bardzo rozbudowanej (trójwymiarowej) powierzchni

Zastosowania

Badane tlenki o szerokiej przerwie energetycznej łączą w sobie pożądane parametry optyczne, elektryczne i strukturalne (np.: różne wartości współczynników załamania, różne właściwości elektryczne, różne wartości przerwy energetycznej itp.). Takie właściwości oznaczają możliwość stosowania wieloskładnikowych warstw jako izolatory w przyrządach elektronicznych, jako materiały o zmiennej oporności w pamięciach elektronicznych, jako powłoki optyczne o różnych współczynnikach załamania w laserach i mikroskopach, a także jako warstwy zabezpieczające.

Zgłoszenie patentowe:  P.395639 (13-07- 2011)