Opis
Opracowaliśmy hydrotermalną metodę wzrostu nanosłupków tlenku cynku (ZnONR) na krystalicznych podłożach dla zastosowań w przemyśle fotowoltaicznym. Przede wszystkim do wytwarzania tanich struktur baterii słonecznych. W tym celu wytwarzamy ogniwa fotowoltaiczne (PV) na tanim krzemie p‑typu, który jest powszechnie używany w przemyśle. Na tych podłożach osadzamy nanosłupki, następnie pokrywane (w procesie ALD) warstwą ZnO i górną warstwą kontaktową ZnO:Al (AZO). Otrzymane ogniwa fotowoltaiczne wykazały sprawność 12 %.
Parametry
- Temperatury wzrostu: 300oC
- Maksymalna wielkość podłoża: 20 cm średnicy
- Grubość warstwy ZnO: 800 nm
- Elektryczne parametry warstwy ZnO:
n=1.6x1019 cm-3
ρ=1.8x10-2 Ωcm
- Grubość warstwy ZnO:Al: 300 nm
- Elektryczne parametry warstwy ZnO:Al:
n=3.6x1020 cm-3
ρ=1.2x10-3 Ωcm
- Jednorodne pokrycie podłóż o bardzo rozbudowanej (trójwymiarowej) powierzchni
- Kontrolowany wzrost w skali nanometrowej
Schemat badanego ogniwa fotowoltaicznego. |
Charakterystyka prądowo-napięciowa oświetlonego ogniwa fotowoltaicznego. |
Odpowiedź spektralna ogniwa fotowoltaicznego. |
prof. Leszek Sirko, e-mail: director@ifpan.edu.pl, tel: + 48 22 116 2111
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
tel.: (+48) 22 843 70 01 | fax: (+48) 22 843 09 26 | www.ifpan.edu.pl
NIP: 525-000-92-75, Regon: 000326061