Opis
W ostatnich latach obserwuje się silną konkurencję ogniw fotowoltaicznych II-generacji z tradycyjnymi krzemowymi komórkami PV. II-generacja ogniw fotowoltaicznych bazuje na cienkich warstwach siarczku kadmu (CdS) jako n‑typu partner dla p-typu tellurku kadmu. Jednym z największych problemów takich ogniw PV jest stabilność omowego kontaktu do warstwy p-typu CdTe. Rozwiązaniem tego problemu może być użycie p-typu ZnTe jako partnera dla warstw n-typu CdTe. Opracowaliśmy warstwę tlenku cynku domieszkowanego glinem jako stabilny w czasie omowy kontakt do warstw p‑typu ZnTe. warstwa TCO osadzana jest w procesie ALD.
Parametry
- Temperatury wzrostu: 160oC
- Maksymalna wielkość podłoża: 20 cm średnicy
- Grubość warstwy ZnO:Al: 300 nm
- Elektryczne parametry warstwy ZnO:Al:
n=3.6x1020 cm-3
ρ=1.2x10-3 Ωcm
- Jednorodne pokrycie podłóż o bardzo rozbudowanej (trójwymiarowej) powierzchni
- Kontrolowany wzrost w skali nanometrowej
Charakterystyka prądowo-napięciowa omowego kontaktu dla warstwy p-typu ZnTe. |
prof. Leszek Sirko, e-mail: director@ifpan.edu.pl, tel: + 48 22 116 2111
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Aleja Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
tel.: (+48) 22 843 70 01 | fax: (+48) 22 843 09 26 | www.ifpan.edu.pl
NIP: 525-000-92-75, Regon: 000326061